興業(yè)證券（601377）發(fā)布研報(bào)稱，隨著AI訓(xùn)練和推理對(duì)算力需求的快速增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)中心對(duì)HBM、大容量DDR5及企業(yè)級(jí)SSD的存儲(chǔ)需求快速增長(zhǎng)，行業(yè)景氣度持續(xù)提升。此外，隨著海外逐步退出利基型存儲(chǔ)市場(chǎng)，供需持續(xù)緊張導(dǎo)致價(jià)格上漲，國(guó)內(nèi)利基存儲(chǔ)公司有望深度受益。
興業(yè)證券（601377）主要觀點(diǎn)如下：
需求端：AI推理需求爆發(fā)是存儲(chǔ)需求的主要驅(qū)動(dòng)力
根據(jù)TrendForce，預(yù)計(jì)2026年八大主要CSP（CSPI）的合計(jì)資本支出將超越7,100億美元，同比增長(zhǎng)約61%。若未來(lái)ai應(yīng)用（886108）爆發(fā)，企業(yè)盈利有望大幅提升，CSP（CSPI）在2027年之后依舊有望大幅提升資本開(kāi)支。雖然存儲(chǔ)漲價(jià)對(duì)消費(fèi)電子（881124）需求存在較大沖擊，但本輪周期（883436）是由AI數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)商主導(dǎo)，AI推理需求爆發(fā)是存儲(chǔ)需求的主要驅(qū)動(dòng)力，且AI對(duì)存儲(chǔ)需求拉動(dòng)明顯高于消費(fèi)電子（881124）下滑對(duì)存儲(chǔ)需求的影響。
供給端：2026年存儲(chǔ)原廠目前新建的產(chǎn)能相對(duì)有限，新增產(chǎn)能大部分在27H2釋放
NAND方面，2026年海外存儲(chǔ)大廠僅有鎧俠K2，三星西安X2產(chǎn)線、海力士清州M15等廠小幅擴(kuò)產(chǎn)。DRAM方面，2026年僅有三星P4、海力士M15X等廠小幅擴(kuò)產(chǎn)。資本開(kāi)支方面，海外存儲(chǔ)大廠資本開(kāi)支未來(lái)主要聚焦AI方向，例如HBM、DDR5以及企業(yè)級(jí)SSD，而消費(fèi)電子（881124）已不再是未來(lái)資本開(kāi)支的重心。
供需關(guān)系：預(yù)計(jì)供需緊張持續(xù)至2027年之后
NAND方面，該行測(cè)算2025-2027年，NAND總需求分別為988EB、1130EB、1501EB，NAND總供給分別為986EB、1071EB、1447EB，預(yù)計(jì)2026-2027年NAND供需缺口分別為-5.26%、-3.60%。DRAM方面，該行測(cè)算2025-2027年，DRAM總需求分別為40EB、52EB、69EB，DRAM總供給分別為41EB、48EB、68EB，2026-2027年DRAM供需缺口分別為-7.22%、-1.77%。
價(jià)格端：在AI強(qiáng)勁需求下，該行預(yù)計(jì)存儲(chǔ)價(jià)格上漲有望貫穿2026年全年
根據(jù)TrendForce最新存儲(chǔ)器價(jià)格調(diào)查，2026Q2因DRAM原廠積極將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM、Server應(yīng)用，并采用“補(bǔ)漲”策略拉近各類產(chǎn)品價(jià)差，盡管終端市場(chǎng)面臨出貨下修風(fēng)險(xiǎn)，預(yù)估整體一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價(jià)格仍將環(huán)比增長(zhǎng)58-63%。NANDFlash市場(chǎng)持續(xù)由AI、數(shù)據(jù)中心需求主導(dǎo)，全產(chǎn)品線連鎖漲價(jià)的效應(yīng)不減，預(yù)計(jì)第二季整體合約價(jià)格將環(huán)比增長(zhǎng)70-75%。海力士表示在AI客戶強(qiáng)勁需求的推動(dòng)下，當(dāng)前的存儲(chǔ)價(jià)格上漲趨勢(shì)可能貫穿2026全年。
風(fēng)險(xiǎn)提示：終端消費(fèi)電子（881124）需求不及預(yù)期，資本開(kāi)支不及預(yù)期，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局加劇，行業(yè)技術(shù)發(fā)展不及預(yù)期。
