國泰海通發(fā)布研報稱(chēng)，根據DRAMeXchange4月報告，通用NAND(128Gb16Gx8MLC)平均報價(jià)已環(huán)增9.61%；DRAM方面，25Q1下游品牌廠(chǎng)大都提前出貨因應國際形勢變化，有助于DRAM供應鏈庫存去化。預計Q2一般型DRAM及納入HBM考慮的DRAM合計價(jià)格都將季增3~8%(此前3月預期一般型DRAM跌幅收窄至-0~5%)。2025年初，各原廠(chǎng)均采取更為堅決的減產(chǎn)措施，縮減全年投產(chǎn)規模，有效降低供應位元增長(cháng)率，有利于快速減輕市場(chǎng)供需失衡的壓力，為價(jià)格反彈鋪定基礎。

　　國泰海通主要觀(guān)點(diǎn)如下：

　　預計二季度存儲芯片合約價(jià)增幅將高于此前3月預期，原廠(chǎng)均開(kāi)啟報價(jià)調升

　　根據TrendForce集邦咨詢(xún)，NAND Flash原廠(chǎng)自2024年第四季陸續減產(chǎn)，效應已逐步顯現。此外，消費性電子品牌商順應國際形勢變化而提前生產(chǎn)，帶動(dòng)需求，疊加PC、智能手機和數據中心等應用領(lǐng)域已開(kāi)始重建庫存，預計25Q2Blended NAND Flash價(jià)格將環(huán)比增長(cháng)3~8%(此前3月預期漲幅+0~5%)。

　　根據DRAMeXchange4月報告，通用NAND(128Gb16Gx8MLC)平均報價(jià)已環(huán)增9.61%；DRAM方面，25Q1下游品牌廠(chǎng)大都提前出貨因應國際形勢變化，有助于DRAM供應鏈庫存去化。預計Q2一般型DRAM及納入HBM考慮的DRAM合計價(jià)格都將季增3~8%(此前3月預期一般型DRAM跌幅收窄至-0~5%)。

　　具體至原廠(chǎng)報價(jià)而言：1)美光于3月25日宣布漲價(jià)，存儲器業(yè)務(wù)領(lǐng)域需求出現了超預期增長(cháng)；2)閃迪宣布自4月起對其所有渠道和消費類(lèi)產(chǎn)品的價(jià)格進(jìn)行超過(guò)10%的提升；3)三星電子目前正在與全球主要客戶(hù)協(xié)商提高存儲芯片價(jià)格的事宜，提議價(jià)格提升幅度為3~5%。

　　供給端，存儲原廠(chǎng)減產(chǎn)減輕市場(chǎng)供需失衡壓力

　　2025年初，各原廠(chǎng)均采取更為堅決的減產(chǎn)措施，縮減全年投產(chǎn)規模，有效降低供應位元增長(cháng)率，有利于快速減輕市場(chǎng)供需失衡的壓力，為價(jià)格反彈鋪定基礎。存儲芯片市場(chǎng)供需結構將有望顯著(zhù)改善，包含原廠(chǎng)減產(chǎn)、智能手機庫存去化、AI等因素將推升需求成長(cháng)，從而緩解供過(guò)于求的局面。

　　需求端，AI+存儲推動(dòng)終端單機搭載容量顯著(zhù)提升

　　2024年DRAM及NAND Flash在各類(lèi)AI延伸應用，如智能手機、服務(wù)器、筆電的單機平均搭載容量均有所成長(cháng)。2025年，伴隨AI應用端滲透進(jìn)一步提升，存儲單機搭載量將持續成長(cháng)，存儲終端需求有望伴隨AI+應用落地實(shí)現全面提升。

　　1)AI手機：DeepSeek降本開(kāi)源有望推升端側算存配置，端側協(xié)同將有望迎來(lái)大幅增強；2)AI PC：DeepSeek可助力B端私有云部署本地大模型，通過(guò)在本地設備上處理數據，從而降低數據泄露風(fēng)險，C端用戶(hù)亦將加強在本地的部署意愿，AI PC增長(cháng)邏輯有望逐步重塑；3)AIoT：端側應用有望全面開(kāi)花，AR眼鏡滲透進(jìn)一步增強；4)汽車(chē)智能化：智能汽車(chē)有望引入開(kāi)源大模型成為更大的AIoT終端，AI或將深度賦能汽車(chē)全生命周期。

　　風(fēng)險提示

　　存儲終端價(jià)格回升不及預期；AI應用滲透不及預期。